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如何选择最适合的印刷电路板(PCB)材料

时间:2020-11-09 12:46

  毫米波(mmWave)频率段或许为很众利用供给大带宽。为了敷裕诈骗带宽上风,目今主流的职责频率要比古代的职责频率高得众,而且频率规模民众集合正在24至77GHz规模,乃至更高。模范利用规模从“蜂窝无线通讯收集”到“高级驾驶辅助编制中的防撞雷达(ADAS)”。这些频率一经一度是军方专用,那时毫米波电道的研发本钱和研举事度均让民用规模望而止步。但跟着原料、电道等规模闭头本事的打破,成千上万的毫米波利用如雨后春笋般正在77GHz汽车雷达编制中普及,这些雷达和本事使得道道出行愈加安宁。为保障毫米波雷达编制的最优职责形态,何如选拔最适合的

  关于民众半射频电道工程师来说,职责于毫米波频率下的电道存正在太众的不确定成分,起首面对的一个困难即是何如选拔适合的PCB线道板原料。可是,假若能敷裕清晰各样线道板原料的目标参数,而且理解这些参数会对毫米波电道发生哪些影响,那么就能够十拿九稳地寻寻找适合77GHz(或其它毫米波频率)的线道层压板。简而言之,原料本能的相同性比什么都首要。或许正在各样温度、各样职责情况中不受光阴影响,而且能长光阴保留本能平静的低损耗、高本能线道板原料,即是打算毫米波电道的最佳原料。

  打算毫米波频率下的PCB传输线,无论是微带线、带状线照样接地共面波导(GCPW),其尺寸和性子都务必是万分精准的。信号的波长跟着频率的增长而减小,所以频率越高,对传输线的精度央求也就越高。毫米波频率下传输线的本能,将受到线道板原料本能的范围,假若PCB线道板原料上各个区域的本能无法保障相同性,那么就会导致其加工出来的传输线展现信号损耗、相位偏移、鼓吹延迟等诸众题目。关于那些对时序和信号相位万分敏锐的雷达编制,延迟和相位失真会消重编制的最终本能。通过更具体地清晰线道板原料的目标参数会对毫米波电道发生什么样的影响,就能够愈加便利地选拔适合各样差异类型毫米波电道(蕴涵77GHz汽车雷达编制和第五代(5G)蜂窝无线通讯编制)的PCB原料。

  正在筛选满意电道打算央求的线道板原料时,工程师通俗会先琢磨本身对照熟谙的原料参数,如介电常数(Dk)和耗散因子(Df)等。个中,Dk是用于外征线道板原料电磁(EM)电荷存储才能的目标,而Df是用于外征线道板原料能量损耗的目标。相关于其皮相的金属导体来说,PCB的电介质原料能够以为是绝缘体。而且电磁信号会沿着导体鼓吹,同时局部信号会进入介质原料中,另一局部信号会向边际空间辐射。关于皮相覆铜的线道板原料,较低的Dk值能够完毕信号的较疾鼓吹,同时信号也具有最低的延迟和最小的相位转折,这些性子对毫米波电道来说黑白常首要的。

  Dk值通俗用线道板原料的厚度倾向或z轴倾向的丈量值来外征。其数值遵照IPC()等构制协议的,而且被行业公认认同的轨范来确定,通俗会正在某一个确定的频率(比方10 GHz)下来形容它。跟着频率或温度的转折,每种电道原料的Dk,ΔDk都市有必定水平的转折,这些转折都市对电道的本能发生影响。

  Dk值通俗与线道板介质层原料的因素(如PTFE)相闭。可是,决议线道板本能的Dk值是一个复合值,它由介质原料中应用的填料(如玻璃纤维加强原料)、原料厚度、乃至铜导体的质地等众个成分联合确定。为了便利电道打算和估量机仿真筑模,Dk的现实值要比其标称Dk值更首要,由于现实Dk值不仅决议了线道板上电道的尺寸,还会影响这些电道的本能,它通俗被称为“电道感知Dk值”或罗杰斯公司称之为“打算Dk值”。

  正在打算适合于毫米波电道(比方77GHz汽车防撞雷达)的线道板原料时,Dk是浩繁必要琢磨的参数之一,Dk的转折应最大能够地担任正在亲热其标称值的规模内。其它,能影响毫米波电道本能的其它原料参数还蕴涵:Df、原料厚度、铜导体质地、吸湿性以及玻璃纤维加强惹起的“玻璃编织”效应。再次必要夸大的是,相同性是必不行少的,特别是正在毫米波频率下,这些参数的猛烈转折也会影响毫米波频率下的电道本能。

  这些差异的电道参数都市影响线道板原料的“打算Dk”值。为了确保对Dk的形容明白且无歧义,这里的“有用Dk”是指信号正在鼓吹进程中发生的总Dk值。关于微带线来说“有用Dk”是指介质中的Dk以及介质边际氛围中的Dk联合效力下的复合值。“打算Dk”是正在“有用Dk”根底上只琢磨原料自己的Dk值,即湮灭了边际的氛围对Dk的影响之后获得的值。

  应用罗杰斯公司厚度为5mil,皮相铜箔为电解(ED)铜的RO3003线道板原料加工而成的微带线GHz频率下测试获得其“有用Dk”(蕴涵氛围影响)值为2.54,其“打算Dk”值为3.16。比较几个差异的Dk值,能够看到,原原料正在厚度倾向或z轴倾向上的Dk值为3.00,这个值是正在没有电道成分影响的情形下,直接对原原料采用轨范化测试获得的值。“原原料Dk”代外了原料的性子,是介质原料的固有Dk。然而,“有用Dk”和“打算Dk”是用于外征电道本质的Dk。

  比方,原料的“打算Dk”(以电道花式测试获得的原料Dk)会随原料厚度的转折而转折。“打算Dk”随原料厚度转折的同时,通俗还会受职责频率的影响,Dk随频率增长会消重。所以,关于电道打算工程师来说,正在诈骗估量机仿真软件打算毫米波传输线时, Dk的这些转折会带来必定的阻抗偏差。

  假若微带电道采用了对照薄的线道层压板,那么顶层的信号导美观和底层的接地面之间的隔断必定会很小。相关于介质原原料的Dk,线道层压板越薄,用其加工出来的电道就越容易受到导体层的影响,正在这种情形下,“有用Dk”和“打算Dk”值受导体层的影响更大。关于较薄基板上的传输线“打算Dk”值增长,其电容增长,同时阻抗会消重;反之,关于较厚的基板上的传输线“打算Dk”值减小,电容减小同时阻抗会增长。其它,应用较宽的传输线也能够间接抵达增长电容的目标,但这会增长PCB上导体的面积。

  关于很众高频利用,蕴涵77GHz雷达,传输线的阻抗正在各个身分均要保留相同,如许才力尽能够地裁汰信号反射。假若传输线Ω特色阻抗,就会导致信号展现反射、损耗和相移。关于给定的Dk转折规模,这些偏移正在毫米波频率下对相位发生的影响要比低反复率大得众,而且会成为毫米波频率下雷达本能低重的闭键缘故。

  毫米波电道通俗会应用对照薄的PCB原料,况且民众半情形下是同时蕴涵模仿电道、数字电道和电源的众层电道。关于相似型号的原料,跟着厚度增长“有用Dk”和“打算Dk”的值将会减小。以罗杰斯公司的RO4350B线mil厚度下,原料厚度倾向或z轴倾向的Dk均匀值为3.96;但正在30mil厚度下,“打算Dk”值降为3.68(如图1所示)。能够看到,跟着厚度的增长“打算Dk”会减小;当原料厚度抵达60mil时,“打算Dk”值会消重至3.66。当然,“打算Dk”也不会由于厚度赓续增长而无尽消重,当厚度增长到必定水平时Dk值会趋于平静,这光阴的“有用Dk”和“打算Dk”闭键由线道板中的介质原料来决议,皮相导体对Dk的影响跟着原料厚度的增长能够渺视不计。

  为了进一步阐明原料厚度对电道打算的影响,采用另一种线道板原料举行同样的试验。选拔罗杰斯公司的RO3003线mil三个差异的厚度,原料具有相似类型皮相铜箔(½盎司的ED铜),基于50Ω微带传输线的差分相位法,举行“打算Dk”值的测试。正在50GHz频率规模内,测试结果解释,“打算Dk”会随线道板厚度转折而转折(详细如图2所示)。

  线道板原料的一共构成元素都市影响“打算Dk”,以是要一切琢磨一共组成线道板元素的目标参数。比方:铜导体的质地能够会影响电道正在毫米波频率下的本能。高质地的铜导体可认为传输线供给高导电性和高相同性的阻抗,这些性子是保险信号正在毫米波频率下保护相位平静的闭头成分,比方利用正在77GHz汽车雷达中。

  线道板原料的铜箔皮相粗劣度会正在必定水平上影响毫米波电道的本能。通过皮相粗劣铜箔加工出来的传输线,其皮相电磁波的鼓吹速率要慢于采用同类型铜箔但皮相更腻滑的传输线。这里所谓的铜皮相粗劣度是指:正在基板与铜箔接触的这个平面上铜的粗劣度。较慢的电磁波鼓吹速率等效于线道板原料具有较高的Dk。

  为了进一步阐明铜箔皮相粗劣度的分歧是何如影响毫米波电道本能的,将4mil厚的液晶聚会物(LCP)动作电介质,与差异的铜导体组合正在沿道。铜导体由差异类型的ED铜构成,每种ED铜具有差异的皮相粗劣度。皮相粗劣度采用均方根(RMS)值来量度,组合的铜导体RMS值判袂为0.5、0.7、1.5和3.0μm。

  为了评估差异铜导体对原料Dk的影响,正在上述四种差异粗劣度的LCP基板上加工出50Ω微带传输线,应用微波/毫米波矢量收集说明仪(VNA),正在8到50GHz频段内举行测试。结果解释“有用Dk”值会遵照铜导体的类型而转折,但各自正在所有频率规模内险些保留恒定(如图3所示)。

  正如丈量结果所示,应用差异类型铜导体的相似PCB原料会发生差异的“有用Dk”值。正在采用齐备相似的介质原料情形下,应用粗劣铜箔皮相原料的电道比腻滑铜箔皮相电道具有更高的“有用Dk”值。况且能够看到,具有更高有用Dk电道的“慢波效益”正在更高频率下影响会更大少少。

  其它,铜箔皮相粗劣度也会影响导体损耗,特地是正在毫米波频率下,粗劣的铜导体皮相会导致更高的导体损耗。为了验证这个结论,用同样5mil厚的RO3003层压板,判袂采用ED铜和压延铜举行测试,个中ED铜的RMS皮相粗劣度为2.0μm,而压延铜的RMS皮相粗劣度为0.35μm。

  试验丈量了50Ω微带传输线GHz的插入损耗,用于对照差异铜导体的损耗性子。铜皮相粗劣度(增长)对导体损耗、插入损耗的影响是显而易睹的(如图4所示)。线道板原料的厚度也会对铜皮相粗劣形成的损耗发生影响,原料越薄受铜箔粗劣的影响就越大。

  职责于77GHz的车载雷达或许检测到反射信号相位的轻细分歧,线道板原料“打算Dk”的任何转折都市影响到相位形态,从而消重编制的探测精度。理思情形是心愿线道板原料的Dk值正在任何条款下都不要发作转折。但现实情形是原料的“打算Dk”会随频率、温度、厚度等众种成分的影响而发作变换。只要将本征电道原料Dk值的最至公差担任正在±0.05的规模内,才力保障相位的摇动不会对编制的高精度和高牢靠性发生影响。

  为了监测线道板原料Dk随温度转折的情形,界说介电常数温度系数(TCDk)为:必定温度规模内、温度每升高1℃时介电常数的相对均匀转折率。这个参数对职责正在温度差较大的利用(比方77 GHz雷达)来说相当首要。任何利用于毫米波电道的线道板原料,都应当具有较低的TCDk值,如许才力最大水平地减小因Dk转折给电道本能(如相移)带来的影响。

  少少基于PTFE树脂体例的线°C驾驭)情况中,其Dk值会因温度转折而发作陡变。关于民众半利用来说,TCDk能担任正在0±25ppm/°C的规模内就以为是对照适合的。以RO3003线道板原料来举例,当温度从-50转折到150°C时,其10GHz频率下z轴倾向的TCDk仅为-3ppm /°C。TCDk越小也就意味着Dk随温度的转折也越小(如图5所示),这关于毫米波频率利用,以及那些必要正在较大温度规模内保留本能平静的电道来说至闭首要。

  正在毫米波频率下,线道板原料的其它原料参数,如:介质损耗(Df)、吸湿率、玻璃编织效应等轻易一个参数都市影响原料的“打算Dk”值。与Dk相同,原料的Df也会受温度的影响,将其界说为:损耗因子热平静系数(TCDf),顾名思义它也会跟着温度的转折对电道打算发生影响。而吸湿率是指线道板原料汲取外界水份的总重量,它以百分比为单元来量度。正在较高的频率下该值越小越好,其模范值正在0.1%至0.2%之间。罗杰斯RO3003层压板的吸湿率为0.04%。

  因为毫米波频率的波长很小,关于某些采用玻璃纤维强化的分外PCB板材,其发生的“玻璃编织效应”也会对电道本能形成影响,这些影响与玻璃纤维正在线道板介质中的分散体例相闭。玻璃纤维布有两种常睹的编织体例,一种是“交叉盛开式编织”,这种编织体例玻璃纤维束之间会存正在少少罅隙;另一种是“匀称开纤式编织”,玻璃纤维束扁平且中央没有闲隙。玻璃纤维被填充到所有原料中,其填充体例也有两种,一种是“匀称填充”,这种情形x轴和y轴上的玻璃纤维密度是相似的;另一种是“非匀称填充”,玻璃纤维正在这两个轴上具有差异的密度。关于采用”交叉花式编织”的玻璃纤维布,正在没有玻璃纤维的罅隙区域其Dk值较低,两束玻璃纤维交叉酿成的叠加区域其Dk值最高。当信号波长小到与这些罅隙的尺寸相当时,信号就会发生失线GHz的雷达,假若选器材有较强“玻璃编织效应”的PCB原料,有能够会受到群延迟、鼓吹延迟和相位角转折的影响。为保障相位平静,应当为77GHz的电道选拔采用“匀称开纤玻璃编织”动作填料的线道板原料,而且线道板原料的Dk转折要尽能够小。假若采用“交叉盛开玻璃编织”动作填料的线GHz频率下,Dk值大略会有0.09的转折,这会带来大约100度的相角差。相角发作较大的转折,也就意味着这些原料的电道的群延迟和鼓吹延迟会发生较大的分歧。理思情形下,采用不含玻璃纤维的原料,如RO3003或RO3003G2层压板,就能够避免受到“玻璃纤维效应”的影响。

  其它,选拔差异的传输线本事也能够会对毫米波电道(比方77GHz汽车雷达)的本能发生影响。毫米波电道通俗是众层混压PCB的一局部,这些众层混压还能够蕴涵了数字电道、电源电道、乃至光电电道。毫米波电道通俗应用微带线或GCPW传输线本事,正在PCB加工进程中,GCPW传输线更容易受到镀铜厚度、导体蚀刻精度、最终镀层皮相照料等成分影响(如图6所示)。固然微带线或者GCPW都能够用筑仿制真来预期电道本能,可是正在77GHz频率下,GCPW的加工难度和受加工影响更大。

  为了评估差异线道板原料和铜导体类型对电道的影响,无论是应用全波电磁场仿真软件来仿真,照样直接加工出实物举行测试,都市花消良众的光阴和精神。一个更纯洁的手段是借助基于微软Windows平台斥地的免费软件步伐“MWI-2019”来举行说明。该软件能够从罗杰斯官方网站上免费下载。该软件(请参考“More on MWI-2019”)首肯用户应用其内置的

  ,来验证原料厚度、铜导体皮相粗劣度以及其它参数对“打算Dk”的影响。同时该数据库也蕴涵了很众其它差异原料的“打算Dk”值。固然该软件供给的结果精度略低,但它的估量光阴却比全波电磁仿真软件疾得众,险些能够立地获得毫米波电道打算中应用差异原料和原料参数的初始值。更众闭于MWI-2019的消息

  免费的MWI-2019软件能够助助专家火速清晰线道板原料正在毫米波频率下的射频本能分歧。它能够从罗杰斯公司(

  rs这款纯洁易用的软件是基于原料的“打算Dk”来打算的,它具有一个大型数据库,蕴涵了差异原料和铜导体正在特定频率下的实测值。“打算Dk”不光琢磨了介质原料的Dk,还琢磨了诸如频率、基板厚度和铜皮相粗劣度等参数,这些参数都能够会对电道传输线的Dk发生影响。只管MWI-2019无法抵达全波电磁场仿真软件那样的精度,但它能够正在极短的光阴内供给差异传输类型、铜箔类型和基板厚度的估量结果,而且能够正在110 GHz频率规模内为差异的候选线道板原料供给一个可供参考的初始值。

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  MC100EP116 差分线位差分线道罗致器。高频输出供给的3.0GHz带宽使该器件相当适合缓冲超高速振荡器。 V BB 引脚,内部发生的电压源,可用于此仅限设置。关于单端输入条款,未应用的差分输入接连到V BB 动作开闭参考电压。 V BB 也能够从新接连AC耦合输入。应用时,通过0.01uF电容去耦V BB 和V CC ,并将电流源或汲取范围正在0.5 mA。不应用时,V BB 应保留开道。 该打算正在器件内部集成了两级增益,使其成为高带宽放大器利用的理思选拔。 差分输入具有内部钳位机闭,这将强制栅极的Q输出正在开道输入条款下进入低电平形态。所以,未应用的门的输入能够保留翻开,而且不会影响设置其余局部的操作。请注视,只要当两个输入均低于V CC 2.5V时,输入钳位才会生效。 100系列蕴涵温度积蓄。 性子 260 ps模范鼓吹延迟 最高频率

  3 GHz模范 PECL形式职责规模:V CC = 3.0 V至5.5 V,V EE = 0 V NECL形式职责规模:V CC = 0 V,V EE = -3.0 V至-5.5 V 翻开输入默认形态 输入的安宁钳位 Q输出翻开或V EE 时输出默认...

  消息 MC10E / 100E116是一款带有射极扈从器输出的五阶差分线道罗致器。关于央求带豁达于E116的利用,能够会对E416器件感乐趣。有源电流源加上MOSAIC III工艺的深度集电极性子可为罗致器供给优秀的共模噪声遏抑。每个罗致器都有一个专用的V 电源引线,供给最佳的对称性清静静性。假若反相和非反相输入均为

  -2.5 V的相称电位,则罗致器不会进入界说形态,而是平常差分放大器体例的电流共享,正在高电和平低电平之间发生输出电压电平,或者器件乃至能够振荡。 V 引脚,内部发生的电压源,仅合用于此器件。关于单端输入条款,未应用的差分输入接连到V 动作开闭参考电压。 V 也能够从新接连AC耦合输入。应用时,通过0.01 F电容去耦V 和VCC,并范围电流源或汲取至0.5 mA。不应用时,V 应保留翻开形态。 100系列蕴涵温度积蓄。 500ps Max。鼓吹延迟 V 电源输出 专用V 每个罗致器的引脚 PECL形式职责规模:V = 4.2 V至5.7 V,V = 0 V NECL形式职责规模:V = 0 V当V = -4.2 V至-5.7 V 输出Q 将正在输入 内部输入下拉电阻时默以为低电平 相符或高出JEDEC楷模EIA / JESD78 IC闩锁测试 ESD护卫:...

  和特质 单芯片众频段3G收发器兼容3GPP 25.104第9版WCDMA/HSPA轨范 笼罩UMTS频段频段I至VI和VIII至X的当地域域BS级 直接变频发射机和罗致机 WCDMA和GSM罗致基带滤波器选项 易于应用,校准职责量极小主动Rx直流失调担任简洁的增益、频率和形式编程 低电源电流罗致电流:50 mA(模范值)发射电流:50 mA至100 mA(随输出功率转折) 6 mm × 6 mm、40引脚LFCSP封装 只需极少的外部器件集成众频段众形式监控无Tx SAW或Rx级间SAW滤波器集成电源解决集成频率合成器,蕴涵PLL环道滤波器集成PA偏置担任DAC/GPO 欲清晰更众性子,请参考数据手册 产物详情 ADF4602是一款3G收发器IC,具有无与伦比的集成度和性子结合,相当适合供给蜂窝固定转移交融(FMC)任职的高本能3G毫微微蜂窝。只需少数几个外部器件,便能完毕完美的众频段收发器。单个器件援助UMTS频段1至6和8至10。罗致机基于直接变频架构,这种架构是高度集成的宽带CDMA (WCDMA)罗致机的理思选拔,可通过齐备集成一共级间滤波来裁汰物料用量。前端含有三个高本能单端低噪声放大器(LNA),使该器件能援助三频段利用。单端输入机闭可简...

  和特质 转换增益: 12.5 dB(模范值) 镜像遏抑: 28 dBc(模范值) 噪声系数: 5 dB(模范值) 针对1 dB压缩(P1dB)的输入功率: -9 dBm(模范值) 输出三阶交调截点(IP3): -1 dBm(模范值) 输出二阶交调截点(IP2): 20 dBm(模范值) RFIN上6倍本振(LO)宣泄: -40 dBm(模范值) IFOUT上1倍LO宣泄: -50 dBm(模范值) 射频(RF)回波损耗: 5 dB(模范值) LO回损: 20 dB(模范值) 裸片尺寸: 3.599 mm × 2.199 mm × 0.05 mm产物详情 HMC7586是一款集成E频段的砷化镓(GaAs)单芯片微波集成电道(MMIC)同相和正交(I/Q)下变频器芯片,职责频率规模为71 GHz至76 GHz。 HMC7586正在所有频段内供给12.5 dB小信号转换增益和28 dBc镜像遏抑本能。 该器件采用低噪声放大器,后接由6倍倍频器驱动的图像遏抑混频器。 该镜像遏抑混频器使得低噪声放大器之后无需应用滤波器。 可针对直接变频利用供给差分I和Q混频器输出。 或者,可诈骗外部90°羼杂型器件和两个外部180°羼杂型器件将输出团结,以完毕单边带利用。 所少有据蕴涵IF端口上1 mil金线焊的效应。利用 E频段通讯编制 高容量无线回程 测试与丈量...

  和特质 频段:57 - 64 GHz RF信号带宽:最高达1.8 GHz 噪声系数:8 dB(模范值) 罗致器增益:0 - 70 dB 数字和模仿RF和IF增益担任 可编程基带增益和滤波器带宽 集成频率合成器 集成镜像遏抑滤波器 部出格置的环道滤波器 援助外部LO 片内温度传感器 援助256-QAM调制 集成AM和FM检波器 通用模仿I/Q基带接口 三线式串行数字接口 相符RoHS轨范的75引脚晶圆级球栅阵列封装 产物详情 HMC6301是一款完美的毫米波罗致器集成电道,采用相符RoHS轨范的6 mm × 4 mm晶圆级球栅阵列(WLBGA)封装,蕴涵低噪声放大器(LNA)、镜像遏抑滤波器、RF至IF下变频器、IF滤波器、I/Q下变频器和频率合成器。该罗致器的职责频率规模为57 GHz至64 GHz,双边调制带宽高达1.8 GHz。集成式频率合成器正在250 MHz、500 MHz或540 MHz步长下举行调谐,具有优秀的相位噪声,援助高达64 QAM的调制。或者,能够注入外部LO,它援助用户可选LO性子或相位干系发射和罗致操作以及高达256 QAM的调制。通过通用模仿基带I/Q接供词给对各样调制形式的援助。罗致器器件还内置AM和FM检波器以便解调开闭头控(OOK)、频移键控(FSK)或最小...

  和特质 用于单端罗致机(Rx)输入和本振(LO)输入的集成巴伦 Rx通道增益: 22 dB 噪声系数(NF): 10 dB P1dB: −10 dBm LO输入规模: -8 dBm至+5 dBm Rx至IF分隔: 30 dB RF信号带宽: 250 MHz Rx输出阻抗: 900 Ω差分 LO输入缓冲器: 24 GHz RF和LO S11(50 Ω时): -5 dB 集成模仿输出的温度传感器:±5° 静电放电(ESD)本能 人体模子(HBM):2000 V 充电器件模子(CDM):500 V 通过汽车利用认证 产物详情 ADF5904是一款4通道、24 GHz罗致机下变频器。 每个通道蕴涵一个集成片内巴伦的单端RF输入,后接差分低噪声放大器(LNA),以及集成差分输出缓冲器的下变频混频器。 RF LO途径又有片内巴伦。 片内寄存器通过纯洁的三线式接口举行担任。 ADF5904采用紧凑型32引脚、5 mm × 5 mm LFCSP封装。 利用 汽车雷达 工业雷达 微波(μW)雷达传感器 方框图...

  ADMV4420 具有集成小数 N 分频 PLL 和 VCO 的 K 波段下变频器

  和特质 RF 前端集成了 RF 巴伦和 LNA双平均有源混频器,带高动态规模 IF 放大用具有低相位噪声和众核 VCO 的小数 N 频率合成器采用集成 LDO 稳压器的 5 V 电源供电输出 P1dB:7 dBm输出 IP3:16 dBm转换增益:36 dB噪声指数:7 dBRF 输入频率规模:16.95 GHz 至 22.05 GHz内部 LO 频率规模:16.75 GHz 至 21.15 GHzIF 频率规模:900 MHz 至 2500 MHz单端 50 Ω 输入阻抗和 75 Ω IF 输出阻抗可通过 4 线 mm LFCSP 产物详情 ADMV4420 是一款高度集成的双平均有源混频器,集成了小数 N 分反复率合成器,相当适合下一代 K 波段卫星通讯。RF 前端由集成的 RF 巴伦和低噪声放大器(LNA)构成,可完毕最佳的 7 dB 单边带噪声指数,同时最大限制地裁汰外部元件。其余,高动态规模 IF 输出放大器供给 36 dB 的标称转换增益。集成的低相位噪声、小数 N 分频锁相环(PLL),带有众核压控振荡器(VCO)和内部 2 倍乘法器,可为双平均混频器发生需要的片内 LO 信号,无需外部频率合成。众核 VCO 应用内部主动校准步伐,使得 PLL 可选拔需要树立,并锁定约 400 μs。...

  ADF5902 24 GHz、ISM 频段、众频道 FMCW 雷达变送器

  和特质 24 GHz 至 24.25 GHz VCO(工业、科学和医疗(ISM)射反复段) 双通道 24 GHz 功率放大器,输出为 8 dBm 单端输出 具有静音功用的双通道众道复用输出 可编程输出功率 LO 输出缓冲区 射反复率规模:24 GHz 至 24.25 GHz 功率担任检波器 辅助 8 位 ADC 高速和低速 FMCW 斜坡天生 25 位固定模数可完毕亚赫兹频率差别率 PFD 频率高达 110 MHz 归一化相位本底噪声为 −222 dBc/Hz 可编程电荷泵电流 ±5°C 温度传感器 4 线 SPI ESD 本能 HBM:2000 V CDM:250 V 相符汽车利用央求 产物详情 ADF5902 是一款 24 GHz 变送器(Tx)单片微波集成电道(MMIC),具有片内 24 GHz 压控振荡器(VCO)。VCO 具有分数 N 频率合成器,并具有波形天生功用、可编程网格阵列(PGA)和用于雷达编制的双变送器通道。片内 24 GHz VCO 为两个变送器通道和当地振荡器(LO)输出天生 24 GHz 信号。每个变送器通道蕴涵一个功率担任电道。又有一个片内温度传感器。一共片内寄存器的担任都是通过纯洁的四线串行外设接口(SPI)完毕的。ADF5902 采用紧凑式 32 引脚 5 mm × 5 mm LFCSP 封装。利用...

  和特质 24 GHz至24.25 GHz压控振荡器(VCO) 具有8 dBm输出的2通道24 GHz功率放大器(PA) 单端输出 具有静音功用的2通道Muxed输出 可编程输出功率 N分频器TX输出(鉴频器) 24GHz LO输出缓冲器 250MHz信号带宽 电源担任检波器 辅助8位ADC ±5°C温度传感器 4线式串行外设接口(SPI) 静电放电(ESD)本能 人体模子(HBM):2000 V 充电器件模子(CDM):250 V 通过汽车利用认证 产物详情 ADF5901是一款24 GHz Tx单片微波集成电道(MMIC),片内集成24 GHz VCO和PGA,并有两个Tx通道,合用于雷达编制。片内24 GHz VCO发生用于2个Tx通道和LO输出的24 GHz信号。每个Tx通道蕴涵一个功率担任电道。又有一个片内温度传感器。一共片内寄存器均通过纯洁的4线式接口举行担任。ADF5901采用紧凑型32引脚、5 mm × 5 mm LFCSP封装。利用 汽车雷达 工业雷达 微波雷达传感器 工业传感器 慎密仪器 油箱液位传感器 智能传感器 开门 节能 商用传感器:对象检测和跟踪 汽车、船舶、飞机和UAV(无人机):防撞 智能运输编制:智能交通监控和担任 监控和安宁 方框图...

  和特质 罗致器输入引脚供给±15 kV ESD护卫开闭速度:400 Mbps(200 MHz)贯通引脚摆设简化印制电道板布线 ps(模范值) 差分偏移:100 ps(模范值) 鼓吹延迟:2.7 ns(最大值)电源电压:3.3 V断电时具有高阻抗输出低功耗打算(待机功耗模范值为3 mW)可与现有的5 V LVDS驱动器配合应用罗致小摆幅(模范值310 mV )差分输入信号电平援助开道、短道,以及终止输入障碍安宁 产物详情 ADN4668是一款四通道CMOS低压差分信号(LVDS)线 MHz)以上的数据速度及超低功耗。ADN4668具有贯通引脚摆设,能够轻松完毕印制电道板布线以及输入信号与输出信号的分手。这款器件罗致低压(模范值310 mV)差分输入信号,并将其转换为单端3 V TTL/CMOS逻辑电平。ADN4668还供给高电平有用和低电平有用的启用/禁用输入(EN 和/EN),以担任整个的4个罗致器。它们可禁用罗致器,并将输出切换为高阻抗形态。这个高阻抗形态首肯对一个或众个ADN4668的输出举行众道复用,以将待机功耗消重至3 mW(模范值)。ADN4668及与其配合应用的驱动器ADN4667,可为高速点对点数据传输供给全新的治理...

  和特质 输入引脚供给±15 kV ESD护卫转换速度:400 Mbps (200 MHz)直通式引脚陈列可简化PCB结构鼓吹延迟:2.5 ns(最大值)3.3 V 电源闭断时为高阻抗输出与现有5 V LVDS驱动器兼容接收小摆幅(模范值310 mV)差分信号电平援助开道、短道和端接输入障碍安宁功用阈值区间:0 V至−100 mV相符TIA/EIA-644 LVDS轨范工业温度规模:−40°C至+85°C 产物详情 ADN4662是一款单通道、CMOS、低压差分信号(LVDS)线 MHz)以上的数据速度,功耗超低。它采用直通式引脚陈列,便于PCB结构以及输入与输出信号分手。             该器件接收低压(模范值310 mV)差分输入信号,并将其转换为单端3 V TTL/ CMOS逻辑电平。ADN4662及其配套驱动器ADN4661为高速点对点数据传输供给一种新的治理计划,能够取代射极耦合逻辑(ECL)或正射极耦合逻辑(PECL),功耗则更低。              利用点对点数据传输众分支总线时钟分拨收集背板罗致器 方框图...

  和特质 输出引脚供给±15 kV ESD(静电放电)护卫开闭速度:400 Mbps (200 MHz)贯通引脚陈列简化印制电道板(PCB)布线 ps(模范值)差分偏移:400 ps(最大值)鼓吹延迟:1.7 ns(最大值)电源电压:3.3 V 欲清晰更众消息,请参考数据手册 产物详情 ADN4667是一款四通道CMOS低压差分信号(LVDS)线 Mbps以上的数据速度(200MHz)和超低功耗。它具有贯通引脚,能够轻松完毕印制电道板结构以及输入与输出信号的分手。 ADN4667罗致低压TTL/CMOS逻辑信号,并将其转换为一个差分电流输出信号,来驱动双绞线等传输前言,输出电流的模范值为±3.1 mA。传输信号正在罗致端的终端电阻上发生模范值为±310 mV的差分电压。然后再通过ADN4668等LVDS罗致器转换为TTL/CMOS逻辑电平。ADN4667还供给高电和平低电平有用的使能/禁用输入(EN和/EN)。这些输入担任整个的4个驱动器,并正在禁用形态合上电流输出,以将待机功耗消重至10 mW(模范值)。ADN4667及与其配合应用的LVDS罗致器ADN4668,可为高速点对点数据传输供给全新的治理计划,并为发射极耦合逻辑(ECL)或正电压射极耦合逻...

  和特质 输出引脚供给±15 kV ESD护卫转换速度:400 Mbps (200 MHz)直通式引脚陈列可简化PCB结构通道间偏斜:100 ps(模范值)鼓吹延迟:2.5 ns(最大值)3.3 V电源闭断时为高阻抗输出低功耗:3 mW(静态模范值)与现有5 V LVDS驱动器兼容接收小摆幅(模范值310 mV)差分信号电平援助开道、短道和端接输入障碍安宁功用阈值区间:0 V至−100 mV 产物详情 ADN4664是一款双通道、CMOS、低压差分信号(LVDS)线 MHz)以上的数据速度,功耗超低。它采用直通式引脚陈列,便于PCB结构以及输入与输出信号分手。该器件接收低压(模范值310 mV)差分输入信号,并将其转换为单端3 V TTL/ CMOS逻辑电平。              ADN4664及其配套LVDS驱动器ADN4663为高速点对点数据传输供给一种新的治理计划,能够取代射极耦合逻辑(ECL)或正射极耦合逻辑(PECL),功耗则更低。          利用点对点数据传输众分支总线时钟分拨收集背板罗致器 方框图...

  和特质 输出引脚供给±15 kV ESD护卫转换速度:400 Mbps (200 MHz)差分偏斜:100 ps(模范值)差分偏斜:400 ps(最大值)鼓吹延迟:2 ns(最大值)3.3 V电源差分信号:±350 mV低功耗:13 mW(模范值)与现有5 V LVDS罗致器兼容闭断时为高阻抗LVDS输出相符TIA/EIA-644 LVDS轨范欲清晰更众性子,请参考数据手册 产物详情 ADN4665是一款四通道、CMOS、低压差分信号(LVDS)线 MHz)以上的数据速度,功耗超低。     该器件接收低压TTL/CMOS逻辑信号,并将其转换成模范值为±3.5 mA的差分电流输出,以便驱动双绞线电缆等传输介质。所传输的信号正在罗致端的端接电阻上发生模范值为±350 mV的差分电压,然后由LVDS罗致器将其转换为TTL/CMOS逻辑电平。     ADN4665还供给高电平有用和低电平有用使能/禁用输入(EN和EN)。这些输入担任一共四个驱动器,并正在禁用形态下合上电流输出,将静态功耗降至模范值10 mW。ADN4665为高速点对点数据传输供给一种新的治理计划,能够取代射极耦合逻辑(ECL)或正射极耦合逻辑(PECL),功耗则更低。         利用背板...

  和特质 High Common-Mode RejectionDC: 100 dB typ60 Hz: 100 dB typ20 kHz: 70 dB typ40 kHz: 62 dB typ Low Distortion: 0.001% typ Fast Slew Rate: 9.5 V/µs typ Wide Bandwidth: 3 MHz typ Low Cost Complements SSM2142 Differential Line Driver产物详情 SSM2141是一款集成式差分放大器,用于罗致平均线道输入,适合央求高抗扰度和最佳共模遏抑的音频利用。该器件的共模遏抑(CMR)本能通俗能够抵达100 dB,而诈骗四个现有慎密电阻的运算放大器实行计划,通俗共模遏抑只可抵达40 dB,不行满意高本能音频的央求。SSM2141通过保留9.5 V/µs的高压摆率和高开环增益来完毕低失真本能。正在所有音频带宽内,其失线与平均线互为添加。这些器件组合正在沿道可组成一个齐备集成的治理计划,或许完毕音频信号的等效变压器平均,而不会有失真、电磁辐射(EMI)场和高本钱等题目。SSM2141的其它利用蕴涵信号乞降、差分前置放大器和600 Ω低失真缓冲放大器。如需增益G = 1/2的相仿本能器件,请参考SSM2143。 方框图...

  和特质 高共模遏抑 DC: 90 dB(模范值) 60 Hz: 90 dB(模范值) 20 kHz: 85 dB(模范值) 超低总谐波失线 kHz) 火速压摆率: 10 V/ms(模范值) 宽带宽: 7 MHz(模范值,G = 1/2) 供给两个增益级: G = 1/2或2 低本钱 产物详情 SSM2143是一款集成式差分放大器,用于罗致平均线道输入,适合央求对共模噪声有高抗扰度的音频利用。该器件通过对电阻举行激光调动,使之抵达优于0.005%的精度,从而完毕模范值为90 dB的共模遏抑(CMR)。                                    该器件的其它性子蕴涵10 V/µs的压摆率和宽带宽。正在所有音反复段内,总谐波失线%,纵然驱动低阻抗负载时也是如许。SSM2143输入级打算用于照料高达+28 dBu的输入信号(G = 1/2)。固然该器件闭键针对G = 1/2的利用,但通过反接+IN/-IN和SENSE/REFERENCE,也能够完毕2倍增益。采用增益为1/2的摆设时,SSM2143与平均线可供给全集成式单元增益治理计划,或许正在长电缆上驱动音频信号。如需增益G = 1的相仿本能器件,请参考SSM2141。 方...

  HMC6300 60 GHz毫米波发射器,57 GHz - 64 GHz

  和特质 频段:57 - 64 GHz RF信号带宽:最高达1.8 GHz 针对1 dB压缩的输出功率:15 dBm 增益:5 - 35 dB 数字和模仿RF和IF增益担任 集成频率合成器 集成镜像遏抑滤波器 部出格置的环道滤波器 援助外部LO 片内温度传感器 援助256-QAM调制 集成MSK调制器 通用模仿I/Q基带接口 三线式串行数字接口 相符RoHS轨范的65引脚晶圆级球栅阵列封装 产物详情 HMC6300BG46是一款完美的毫米波发射器集成电道,采用相符RoHS轨范的6 mm x 4 mm晶圆级球栅阵列(WLBGA)封装,职责频率规模为57 GHz至64 GHz,调制带宽高达1.8 GHz。集成式频率合成器正在250、500或540 MHz步长下举行调谐,具有优秀的相位噪声,援助高达64-QAM的调制。或者,能够注入外部LO,它援助用户可选LO性子或相位干系发射和罗致操作以及高达256-QAM的调制。通过通用模仿基带IQ接供词给对各样调制形式的援助。发射器芯片还援助专用FSK、MSK、OOK调制形式,从而完毕更低本钱和功耗的串行数据链道,而无需应用高速数据转换器。差分输出向100 Ω负载供给高达15 dBm的线性输出功率。同时援助单端操作,最高12 dBm。与HMC6301BG46沿道,完美的60 G...

  和特质 罗致器输入引脚供给±8 kV ESD IEC 61000-4-2接触放电护卫 转换速度:400 Mbps (200 MHz) 通道间偏斜:100 ps(模范值) 差分偏斜:100 ps(模范值) 鼓吹延迟:3.3 ns(最大值) 3.3 V 电源 闭断时为高阻抗输出 欲清晰更众性子,请参考数据手册。产物详情 ADN4666是一款四通道、CMOS、低压差分信号(LVDS)线 MHz)以上的数据速度,功耗超低。     该器件接收低压(模范值350 mV)差分输入信号,并将其转换为单端3 V TTL/ CMOS逻辑电平。       ADN4666还供给高电平有用和低电平有用使能/禁用输入(EN和EN),用来担任一共四个罗致器。这些输入可禁用罗致器,将输出切换至高阻抗形态。所以,一个或众个ADN4666器件的输出能够众道复用,将静态功耗降至模范值10 mW。    ADN4666及其配套驱动器ADN4665为高速点对点数据传输供给一种新的治理计划,能够取代射极耦合逻辑(ECL)或正射极耦合逻辑(PECL),功耗则更低。   利用点对点数据传输众分支总线时钟分拨收集背板罗致器 方框图...